Flash en 43 nm

Selon le quotidien économique japonais Nikkei, Toshiba commercialisera, dans les 12 mois qui viennent, des mémoires flash (NAND) gravées avec une finesse de 43 nanomètres (contre 56 nm pour les modèles actuels).
Samsung, pour sa part, miserait plutôt sur une technologie 50 nanomètres, dont les produits devraient être disponibles dans les 6 mois à venir.

Au total, cette course vers la miniaturisation dans le domaine de la mémoire flash laisse espérer, à courte échéance, des progrès considérables en consommation électrique, capacité de stockage, vitesse de lecture-écriture, et en prix de revient (-40% entre une puce 56 nm et une puce 43 nm, pour la même capacité). Il n’est plus tout à fait certain que le disque dur survivra jusqu’à la seconde décennie de ce siècle…