—iPod et iPhone 128 Go en 2009 ? —
Nos gadgets numériques embarqueront-ils 128 Go de mémoire flash en 2009 ?
C’est bien possible si l’on en croit l’annonce du fabricant de mémoire flash Samsung. Dans la course à l’augmentation des capacités de la mémoire NAND, le communiqué laisse rêveur : sans avoir besoin de construire de nouvelles usines au top de la technologie, Samsung devrait être capable de produire des puces gravés en 30 nm pouvant embarquer pour le moment 64 Go et ensuite 128 Go.
Le procédé self-aligned double patterning technology (SaDPT) que l’on pourrait traduire par technologie du double motif auto-aligné permet d’imprimer deux circuits sur un matériau, le premier étant imprimé de manière classique tandis que le deuxième est ajouté entre les lignes du premier pour augmenter au maximum la capacité de stockage.
La production de masse du modèle 64 Go en 30 nm devrait débuter en 2009 dans ses usines avec passage rapide au 128 Go si tout se passe bien.
